หนทางใหม่ในการเพิ่มความเสถียรภาพการเคลือบฟิล์มเทคนิครีแอคทีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริงในโหมดทรานซิชันโดยใช้หลักการป้อนกลับของสัญญาณฟลักซ์ไอออนลบ

หนทางใหม่ในการเพิ่มความเสถียรภาพการเคลือบฟิล์มเทคนิครีแอคทีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริงในโหมดทรานซิชันโดยใช้หลักการป้อนกลับของสัญญาณฟลักซ์ไอออนลบ


-

-